ZnTe∶Cu薄膜的制備及其性能

用共蒸發(fā)法在室溫下沉積了ZnTe∶Cu多晶薄膜.剛沉積的不摻Cu的薄膜呈立方相，適度摻Cu時為立方相和六方相的混合相.隨著Cu含量的增加，六方相增加，光能隙減小.根據(jù)暗電導溫度關(guān)系，結(jié)合XRD和DSC的結(jié)果，認為在110℃、170℃開始出現(xiàn)類CuTe、類Cu2Te相以及Cu0、Cu＋離解的結(jié)果導致電導溫度關(guān)系異常，應用這種薄膜作為背接觸層獲得了轉(zhuǎn)換效率為11.6%，面積為0.52cm2的CdS/CdTe/ZnTe∶Cu太陽電池.

作 者： 鄭家貴 張靜全 蔡偉 黎兵 蔡亞平 馮良桓   作者單位： 四川大學材料科學系， 成都 610064  刊 名： 半導體學報  ISTIC EI PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS  年，卷(期)： 2001 11(2)  分類號： O484  關(guān)鍵詞： ZnTe∶Cu薄膜   制備   測試  

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